廠商登入區員工登入區學術研究機構登入區    
 

  
 

微流道微針陣列

 

化學增幅型
  晶圓凸塊
  感光性間隙
  平坦化
  pHEMT閘極製程
  高深寬比
  厚膜光阻
  微影製程
  熱安定抗蝕刻
  側壁結構
  高深寬比電鑄模
   
   
   
   
   
   
  ASML PAS 5500 / 850C Stepper 
  Nikon stepper 
  TEL ACT 8 (i-line) Coater / Developer 
  Hitachi S-9220 CD-SEM 
   
   

   

   
 
 
 
负性光刻胶。与曝光区域发生交联。特性:良好粘附力、良好阻挡作用、感光速度快。

有較好解析能力
, 圖形縮小容易(光照速度快), 增加產能 (烘烤及顯影時間較短), 降低生產成本
 

乾式蝕刻 NR7 NR5系列

 

通過曝光能量,容易控制側壁的角度

120°C 以下可用丙酮完全洗乾淨,

耐高溫 : 180°C
 

NR7經過Silylation Process,可耐溫250°C

噴墨印刷Inkjet printing已經成為快速成長的明星產業.新一代微量噴墨Inkjet Heads的製作上, 旋寶好化學扮演了重要的腳色
Lexmark HP 同時採用了
NR4-8000PNR5-8000 負型光阻開發新一代的微量噴墨頭
NR5-8000 deep RIE , Bosch製程,可製作非常精緻的圖型
另一個
NR5-8000廣泛使用 的地方是,鍍金時用NR5-8000做保護膜mask
曝光不足時,
NR5-8000 的圖型會向內凹, 因此,NR5-8000也非常適合Lift-off 製程

NR5-8000 適合大量生產用途, 有較好的解析度,線寬,厚度控制,耐高溫,PDMS接合,較短曝光和烘烤時間,任何厚度都可得到垂直的圖形,可取代正型光阻

深寬比 2.1:1
 

深寬比 4.5:1
 

濕式蝕刻 NR9系列

 

附著力強,不需粘著增進劑

容易洗淨,可用丙酮完全洗乾淨

耐溫 : 100°C

 

NR7 NR1 系列


Under cut 可用曝光能量控制

光阻剝離 : 120°C 以下可用丙酮完全洗乾淨

耐溫度180°C, NR7經過Silylation Process 製程,可耐溫250°C

 

NR9系列

 

附著力強, 不需粘著增進劑

容易洗淨,可用丙酮完全洗乾淨

耐溫 : 100°C

 

Negative Resists


NR7-1000PY  0.7µm - 2.1µm
NR7-1500PY
  1.1µm - 3.1µm
NR7-3000PY
  2.1µm - 6.3µm
NR7-6000PY
  5.0µm - 12.2µm


 

NR9-1000PY  0.7µm - 2.1µm
NR9-1500PY  1.1µm - 3.1µm
NR9-3000PY  2.1µm - 6.3µm
NR9-6000PY  5.0µm - 12.2µm
NR9-8000
  6.0µm - 25.0µm
Temperature resistance < 130°C  

 

型號

特性

NR9-PY

用於lift-off製程,高黏附性、容易洗淨,耐高溫

NR7-PY

用於lift-off製程,高溫,可作為永久間隔材料

NR7/NR9-PY

用於lift-off製程,高黏附性、容易洗淨,耐高溫/做永久間隔材料

NR9-PY

用於lift-off製程,高黏附性、容易洗淨,耐高溫

NR7-P

做掩膜,適用於乾式蝕刻,可作永久間隔材料

NR9-P

高黏附性,適用於電鍍和濕法蝕刻

NR5/NR7

可作厚膜掩膜,適用於離子蝕/做掩膜,可作永久間隔材料

NR2

可實現120um膜厚,61深寬比的圖案,適用於電鍍、濕法蝕刻

NR5

可作厚膜掩膜,適用於離子蝕刻

NR2-P

可實現100um膜厚的凹凸圖案,解析度好,易於去

NR9

增強了黏附性,適用於噴塗和輥塗

RD6

顯影時間短,適用於正、負性光阻劑

RR4/RR5

可以安全、高效的去除光阻劑及臨時塗層,適用於多種襯底材料

Machine Aligned Fabrication of Submicron Nb/Al-AlOX/Nb Junctions using a Focused Ion Beam
A Broadband Surface-Micromachined 15-45 GHz Microstrip Coupler
Enhancing reliability of InGaN/GaN light-emitting diodes by controlling theetching profile of the current blocking layer
Integrated electroplated heat spreaders for high power semiconductor lasers
InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light-Emitting Diodes grown on Polar, Semi-polar and Non-Polar Orientations
化學機械研磨法之垂直結構發光二極體
Layout Optimisation of (In)GaN LEDs for HighBrightness Applications
Antifouling Stripes Prepared from Clickable Zwitterionic Copolymers
Biomedical Applications for Microfluidic Devices
Spatial field control of board area semiconductor lasers with integrated grating couplers
Simple Holographic Patterning for High-Aspect-Ratio Three-Dimensional Nanostructures with Large Coverage Area
Full-Color Realization of Micro-LED Displays
High efficiency membrane light emitting diode fabricated by back wafer thinning technique
Heat dissipation analysis of bendable AlGaInP micro-LED arrays
High Breakdown Voltage AlGaN/GaN HEMTs Employing Recessed Gate Edge
High-Q Tunable Silver Capacitors for RFIC's
Design and fabrication of GaN-based laser diodes for single-mode and narrow-linewidth applications



If you don't find what you're looking for, Contact Us. We may have a suitable product that's not listed, or we may be able to develop a material to fit your specific needs. Tel : (02)2217-3442 / Fax : (02)2704-4070
 

 

 

  Copyright and Disclaimerc © David Lu & Corp.